आणविक इलेक्ट्रॉनिक्स

आणविक इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक घटकों के निर्माण के लिए आणविक बिल्डिंग ब्लॉक्स का अध्ययन और अनुप्रयोग है। यह एक अंतःविषय क्षेत्र है जो भौतिकी , रसायन विज्ञान और सामग्री विज्ञान तक फैला हुआ है । एकीकृत विशेषता इलेक्ट्रॉनिक घटकों को बनाने के लिए आणविक बिल्डिंग ब्लॉक्स का उपयोग है। गुणों के आणविक-स्तर नियंत्रण द्वारा पेश किए गए इलेक्ट्रॉनिक्स में आकार में कमी की संभावना के कारण, आणविक इलेक्ट्रॉनिक्स ने बहुत उत्साह पैदा किया है। यह छोटे पैमाने के पारंपरिक सिलिकॉन एकीकृत सर्किट की अनुमानित सीमाओं से परे मूर के कानून का विस्तार करने का एक संभावित साधन प्रदान करता है । ^[1]

आण्विक स्केल इलेक्ट्रॉनिक्स [ संपादित करें ]

मुख्य लेख: आण्विक पैमाने पर इलेक्ट्रॉनिक्स

पर लेखों की एक श्रृंखला का हिस्सा
नैनो इलेक्ट्रॉनिक्स
एकल-अणु इलेक्ट्रॉनिक्स
आणविक पैमाने पर इलेक्ट्रॉनिक्स आणविक तर्क द्वार आणविक तार
सॉलिड-स्टेट नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स
नैनोसर्किटरी नैनोवायर्स नैनोलिथोग्राफी एनईएमएस नैनोसेंसर मूर की विधि मल्टीगेट डिवाइस सेमीकंडक्टर डिवाइस का निर्माण अर्धचालक पैमाने के उदाहरणों की सूची
संबंधित दृष्टिकोण
नैनोऑनिक्स नैनोफोटोनिक्स नैनोयांत्रिकी
पोर्टल
इलेक्ट्रॉनिक्स पोर्टल
वि टी इ

आणविक पैमाने पर इलेक्ट्रॉनिक्स , जिसे एकल-अणु इलेक्ट्रॉनिक्स भी कहा जाता है, नैनो तकनीक की एक शाखा है जो इलेक्ट्रॉनिक घटकों के रूप में एकल अणुओं, या एकल अणुओं के नैनोस्केल संग्रह का उपयोग करती है । क्योंकि एकल अणु संभव सबसे छोटी स्थिर संरचनाओं का निर्माण करते हैं, यह लघुकरण विद्युत परिपथों को सिकोड़ने का अंतिम लक्ष्य है ।

पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण पारंपरिक रूप से थोक सामग्रियों से बनाए जाते हैं। बल्क विधियों की अंतर्निहित सीमाएँ हैं, और वे तेजी से मांग और महंगी होती जा रही हैं। इस प्रकार, यह विचार पैदा हुआ था कि घटकों को एक रसायन विज्ञान प्रयोगशाला (नीचे ऊपर) में परमाणु द्वारा परमाणु के रूप में निर्मित किया जा सकता है, क्योंकि उन्हें बल्क सामग्री (ऊपर नीचे) से बाहर निकालने का विरोध किया गया था। एकल-अणु इलेक्ट्रॉनिक्स में, बल्क सामग्री को एकल अणुओं द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। अर्थात्, एक पैटर्न मचान के बाद सामग्री को हटाकर या लागू करके संरचना बनाने के बजाय, परमाणुओं को रसायन विज्ञान प्रयोगशाला में एक साथ रखा जाता है। उपयोग किए गए अणुओं में ऐसे गुण होते हैं जो पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक घटकों जैसे तार , ट्रांजिस्टर या रेक्टीफायर के समान होते हैं. एक पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक घटक के रूप में एक अणु का उपयोग करने की यह अवधारणा पहली बार 1974 में अविराम और रैटनर द्वारा प्रस्तुत की गई थी, जब उन्होंने दाता और स्वीकर्ता साइटों से बना एक सैद्धांतिक आणविक सुधारक प्रस्तावित किया था जो एक दूसरे से अछूता रहता है। ^[2]

एकल-अणु इलेक्ट्रॉनिक्स एक उभरता हुआ क्षेत्र है, और विशेष रूप से आणविक आकार के यौगिकों से युक्त संपूर्ण इलेक्ट्रॉनिक सर्किट अभी भी साकार होने से बहुत दूर हैं। हालांकि, अधिक कंप्यूटिंग शक्ति की निरंतर मांग, वर्तमान समय की लिथोग्राफिक विधियों की अंतर्निहित सीमाओं के साथ संक्रमण को अपरिहार्य बनाती है। वर्तमान में, दिलचस्प गुणों वाले अणुओं की खोज और आणविक घटकों और इलेक्ट्रोड की थोक सामग्री के बीच विश्वसनीय और प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्य संपर्क प्राप्त करने के तरीके खोजने पर ध्यान केंद्रित किया जा रहा है।

आणविक इलेक्ट्रॉनिक्स 100 नैनोमीटर से कम दूरी के क्वांटम दायरे में काम करता है। एकल अणुओं के लिए लघुकरण पैमाने को एक ऐसे शासन में लाता है जहां क्वांटम यांत्रिकी प्रभाव महत्वपूर्ण होते हैं। पारंपरिक इलेक्ट्रॉनिक घटकों के मामले के विपरीत, जहां इलेक्ट्रॉनों को विद्युत आवेश के निरंतर प्रवाह की तरह अधिक या कम खींचा जा सकता है , एक एकल इलेक्ट्रॉन का स्थानांतरण प्रणाली को महत्वपूर्ण रूप से बदल देता है। सेटअप के इलेक्ट्रॉनिक गुणों के बारे में गणना करते समय चार्जिंग के कारण ऊर्जा की महत्वपूर्ण मात्रा को ध्यान में रखा जाना चाहिए और पास की सतहों के संचालन के लिए दूरी के प्रति अत्यधिक संवेदनशील है।

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